MOSFET fabrica lectio ad considerandas rationes omnes factorum, ex parvis ad eligendum N-typum vel P-typum, involucrum genus, magnum ad MOSFET voltage, in resistentia, etc., variae applicationis diversae requiruntur.Articulus sequens summat MOSFET fabrica delectu 3 regulae maioris, credo quod perlectis multum habebis.
1. Potestas MOSFET lectio gradus unus: P-tube, seu N-tube?
Duo genera potentiarum MOSFETs sunt: N-alveus et P-alveus, in processu consiliorum systematis ut N-tubam vel P-tubam deligant, ad applicationem specificam eligendam, N-canale MOSFETs ad exemplar eligendum; Sumptus parvus;P-canale MOSFETs ad exemplar minus, altum sumptus.
Si voltage in S-polis nexus potentiae MOSFET non est relatio systematis humus, N-canale fluitantis potentiae copia coegi requirit, TRANSFIGURATOR coegi vel bootstrap coegi, ambitu complexum repellere;P-alveum directe impelli potest, simplex agitare.
Considerare oportet N-alvei et P-alvei applicationes maxime sunt
a.Comentarii computatores, desktops et servientes solebant dare CPU et systema refrigerationis ventilabrum, printer pascens systema motoria coegi, vacuum mundiores, aerem purificatorium, electricum fans et alia domus instrumenta motrices circa imperium motrices, hae systemata utantur structurae ambitus pontis plenae, quaelibet pontis bracchium in tubo uti potest P-tube, etiam N-tube uti.
b.Systema Communicationis 48V input systema calido-plug MOSFETs ad summum finem positi, P-tubis uti potes, etiam N-tubis uti potes.
c.Codicillus inputatio circuli in serie, partes anti-inversae nexus et onus mutandi duos posteriores potentiae MOSFETs, usu canali N-canali opus est moderari chip interni integrati coegi curationem sentinam, usum P-alvei. protinus agi potest.
2. Electio genus sarcina
Potestatem canalem MOSFET typum determinare secundum gradum sarcinae determinare, involucrum delectu principia sunt.
a.Temperatus ortum et consilium scelerisque est postulata fundamentalia ad sarcinam eligendam
Magnitudines sarcinae variae habent diversae scelerisque resistentiae et potentiae dissipationis, praeter considerandas condiciones scelerisque systematis et temperatus ambientis, ut sitne aeris refrigeratio, calor subsideat figura et magnitudine restrictiones, num ambitus clausus et alia factores; fundamentale principium est curare caliditatem ortum potentiae MOSFET et systematis efficientiam, praemissa eligendo parametros et sarcinam magis generalem potestatem MOSFET.
Aliquando propter alias condiciones, necesse est utendi plures MOSFETs in parallelis ad solvendum problema dissipationis caloris, sicut in applicationibus PFC, motoriis motoriis vehiculum electrica systemata communicationum, ut moduli potentiae supplementum secundae applicationes synchronae rectificationis seligantur. parallela cum pluribus tubulis.
Si multi-tubus parallelus nexus adhiberi non potest, praeter potestatem MOSFET eligendo meliore effectione, praeterea maior magnitudo sarcina vel novum sarcinarum genus adhiberi potest, exempli gratia, in aliqua potestate AC/DC copiarum TO220 voluntatis. permutari involucrum TO247;in aliquo systematis communicationis socialis instrumentis, nova DFN8*8 involucrum adhibita est.
b.Magnitudo limitatio systematis
Quaedam systemata electronic a magnitudine PCB et altitudine interioris limitantur, ita ut moduli copiae systematum communicationis ob altitudinem restrictionum uti soleant DFN5*6, DFN3*3 involucrum;in aliqua ACDC copiarum potentiarum, usus consiliorum ultra-tenui vel propter limitationes conchae, conventus TO220, involucrum potestatis MOSFET fibulae directe in radicem, altitudinem restrictionis, sarcina TO247 uti non potest.
Nonnulli ultra-tenue consilium directe flectunt acus machinae planae, hoc processus efficiendi multiplex fiet.
In consilio magnae-capacitatis lithii altilium tutelae tabulae, ob durissimae magnitudinis restrictiones, nunc maxime utuntur fasciculo chip-gradu CSP ad emendandum scelerisque effectus quam maxime, dum minimam magnitudinem procurant.
c.Pretium imperium
Mane multae systemata electronicarum obturaculum in sarcina utentes, his annis propter auctam laboris impensam, multae societates ad sarcinam SMD flectere coeperunt, quamquam glutino sumptus SMD quam obturaculum in alto, sed eminentia automationis SMD glutino altiore sumptus potest adhuc in rationabili range coerceri.In nonnullis applicationibus sicut tabulae matris tabulae et tabulae quae sunt perquam sensitivae, potentia MOSFETs in fasciculis DPAK propter humilem sarcinam huius sarcinae adhiberi solent.
Itaque in sarcina MOSFET delectu potestatis, ad componendos proprios comitatus stilum et lineamenta producta, attentis illis factoribus.
3. Lego resistentia in statu RDSON, nota: non current
Saepe fabrum de RDSON curant, quia RDSON et conductio damnum directe comparatur, quo minor RDSON conductio potentia MOSFET conductio minor, superior efficientia, temperatura inferior oriuntur.
Similiter, fabrum, quantum fieri potest, ut in bibliotheca materiali priorum consilium vel exsistentia sequantur, pro RDSON methodi verae lectionis non multum consideranda sunt.Cum temperatura ortum virtutis delectae MOSFET nimis humilis est, propter rationes sumptus, ad RDSON maiora membra transibit;cum temperatura potentiae MOSFET ortum nimis alta est, efficientia systematis humilis est, RDSON transibit ad partes minora, vel per optimizing coegi ambitum externum, meliorem modum ad calorem dissipationis accommodare, etc.
Si nova propositio est, nullum praecedens consilium sequi, tum modum eligere potestatem MOSFET RDSON? Hic modus est introducendi tibi: potestas consummatio distribuendi modus.
Cum designat vim copiam systematis, condiciones notae sunt: initus voltage, output voltage / output current, efficientia, frequentia operans, intentionem pellunt, utique aliae technicae indices et potentia MOSFETs maxime ad hos parametri pertinentia sunt.Vestigia haec sunt.
a.Secundum input range voltage, output voltage / output current, efficientiam, computare maximum damnum ratio.
b.Potestas ambitus damna spuria, ambitus partium non-potentium damna static, damna static et damna pellunt, ut aestimationem asperam reddant, valor empiricus pro 10% ad 15% totius damni rationem reddere potest.
Si potestas circuii habet resistor current sampling, computa vim sumptionis resistoris currentis sampling.Totalis damni minus his damnis superius, reliqua pars est potestas fabrica, transformator vel inductor potentiae amissio.
Reliquae potentiae damnum distribuetur potentiae fabrica et transformator vel inductor in certa proportione, et si non es certus, mediocris distributio per numerum partium, ita ut vim utriusque MOSFET amissam obtineas.
c.Potentia amissio MOSFET damnum mutandi et conductionis in certa proportione partita est, et si incertum, damnum mutandi et conductionis aequaliter partita sunt.
d.Per damnum conductionis MOSFET et currentis RMS fluentis, maximam conductionem licitam computant resistentiae, haec resistentia est MOSFET ad coniunctam maximam temperaturam RDSON operantem.
Data scheda in potentia MOSFET RDSON notata condicionibus testium definitis, in diversis conditionibus definitis diversos valores habent, temperamentum test: TJ = 25 ℃, RDSON habet coefficiens temperaturam positivam, ita secundum summam coniunctionem operativam temperiem MOSFET et RDSON temperatura coefficientem, a RDSON supra valorem computatum, ut respondentem RDSON ad 25℃ temperiem obtineat.
e.RDSON e 25 eligere congruam potentiae MOSFET, secundum actuales parametri MOSFET RDSON, deorsum vel sursum stringere.
Per gradus superiores, electio praevia virtutis MOSFET exemplar et RDSON parametri.
Articulus hic e retis excerptus est, commodo nobis ut praeiudicium deleat, gratias ago!
Zhejiang NeoDen Technologia Co., Ltd. fabricandis et educandis variis parvis machinis elaborandis ab anno 2010. Usus est nostrae divitis periti R&D, productio bene exercitata, NeoDen magnam famam e mundo late clientium vincit.
Cum global praesentia in plus 130 Nationibus, praeclara observantia, alta accuratio et commendatio machinis NeoDen PNP, eas perficit ad R&D, professionales prototypas et parvas ad medias massas productiones.Solutionem professionalem unius sistendi apparatum SMT praebemus.
Add: No.18, Tianzihu Avenue, Tianzihu Urbs, Anji comitatus, Huzhou urbs, Zhejiang provincia, China
Phone: 86-571-26266266
Post tempus: Apr-19-2022